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单层石墨烯CVD生长炉

单层石墨烯CVD生长炉

  • 所属分类:碳材料热工装备
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  • 发布时间:2025-07-23 17:56:35
  • 产品概述

设备概述:

专为高质量、大面积石墨烯薄膜制备设计,采用化学气相沉积(CVD)技术,支持铜箔、镍箔等多种基底,满足科研与工业化生产需求

技术特点:

核心参数与技术优势

生长层数可控:单层率>95%(拉曼表征)

超均匀生长:温度均匀性±2℃,气流稳定性±1%

高纯度保障:真空度≤10⁻⁶ Pa,支持Ar/H₂/CH₄等气氛

智能控制:PLC+触摸屏,预设石墨烯生长工艺曲线

多基底适配:铜箔(主流)、镍箔、SiO₂/Si等

技术参数(可接受非标定制):

单层石墨烯CVD生长炉

产品展示:

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